因為手邊的三星 S9 plus 最近充電出現異常，原本正常的充電速度是2-3小時，但是不知道何時開始，手機的充電速度變得非常慢，完整充飽需要十多個小時，而且因為電池老化的關係，消耗的速度也明顯快很多，睡前充飽電，待機一整個晚上之後，有時候就只剩下70％的電量，待機如此，更不用想正常使用的情形了。
為了解決充電速度的問題，一開始是測試了手邊所有的充電線，但是發現沒有改善，最後是發現只有在使用Type-C的快充之下才能以正常的速度充電，所以只好去找一個快充組合。
這次買入的是從黃色鬼屋購入的倍思(Baseus)30W 多快充 Type-C+USB 充電器，想說倍思的行動電源在網路上評價也不錯，充電器品質應該也不差吧？
可以同時支援 Type-A 與 Type-C的充電，總共功率 35w原本想說可能沒有辦法給電腦充電，不過實際上接上去是可以的，只是速度不快，而且目前看到功率更高的充電器幾乎都要價上千元，當下其實很掙扎，畢竟未來會購買的筆電應該也會挑選支援 PD 快充的，只是在現在手邊的設備有限的狀態下似乎也用不到這麼高級的需求這個充電器買來之後會不會過幾年就被收起來呢?
倍思(Baseus)30W 快充規格
- USB輸出 : DC 4.5V/5A、5V/4.5A、9V/3A、12V/2.5A (MAX)
- TypeC輸出 : DC 5V/3A、9V/3A、12V/2.5A、20V/1.5A (MAX)
- 總輸出 : 5V/5A (MAX)
- 重量 : 約92g
- 支援 : 華為Super快充、QC3.0、PD快充
這款倍思充電器是氮化鎵充電器，選擇 30w 的想法是覺得說這樣的供電對市面上的平板及手機幾乎都可以支援到，同時因為手邊還有很多設備是支援 USB-A，所以決定買入雙孔輸出的規格。
氮化鎵(GaN)是什麼?
氮化鎵一種穩定的寬能隙半導體材料，有著更快的反應，更高的熱導率和更低的導通電阻，所以氮化鎵基功率元件明顯比矽基元件更優越。 氮化鎵晶體可以在各種基板上生長，包括藍寶石、碳化矽（SiC）和矽（Si）。 在矽上生長GaN外延層可以使用現有的矽製造基礎設施，從而無需使用高成本的特定生產設施，而且以低成本採用大直徑的矽晶片。
氮化鎵用於製造半導體功率元件,也可以用於製造射頻元件和發光二極體（LED）。 氮化鎵技術展示出它可以在功率轉換、射頻及模擬應用中，替代矽基半導體技術。
簡單來說氮化鎵(GaN)是更新一代的半導體材料，是一種高功率、散熱佳、在高溫下也可以維持充電效能穩定的技術，而且可以有效將充電器體積縮小更方便攜帶。
市面上的氮化鎵充電器主流做到65W，功率足以作為筆記型電腦的充電器，很多筆記型電腦本體做得輕便，但是看到大大方方的充電器就會讓人吐血，也影響攜帶性，不過使用氮化鎵充電器就可以節省不少體積與重量。
倍思30W充電器使用心得
換了新的充電器當然是馬上解決了原本手機充電速度緩慢的問題，但是不知道是否是品管上的問題，我手上的這隻充電器的插頭固定性很差，無法好好的固定在插座上，稍微碰到就整體脫落，偏偏雙輸出也讓它的體積偏大，這樣一來就非常影響使用體驗，有時候都想說乾脆換成功率較低，但是只支援單一 PD 充電的充電器，然後這顆充電器就留在家裡給其他設備使用(浪費?)……。
再來就是原本是看到網路上有人推薦倍思的行動電源才把這個品牌列入選購對象，但是後來又看到不少負面評價@@，只能說當初購買的時候沒有做太多的功課，雖然說目前使用起來除了容易脫落之外沒有其他的問題，不過有時候還是會造成一些小麻煩阿。
